动态随机存取存储器（Dynamic Random Access Memory，DRAM）是一种常用的计算机内存类型。相比于静态随机存取存储器（SRAM），它具有较高的存储密度和较低的成本，但也存在一些特殊的工作机制和需求。 DRAM中的存储单元由电容构成，电容的充放电过程用来表示存储的数据。每个存储单元的电荷会随时间逐渐泄漏，如果不进行刷新操作，数据就会丧失，导致数据丢失问题。因此，为了保持数据在DRAM中的可靠性，需要进行定期的刷新操作。 具体来说，DRAM需要周期性地刷新存储单元中的数据，以防止数据丢失。这是因为电容存在自发放电的现象，其电荷会随时间逐渐减少。刷新操作旨在重新充电电容，保持存储单元中的数据稳定。 刷新操作是以行为单位进行的，通过对DRAM芯片中的每一行数据进行逐个刷新，确保存储单元中的电荷保持稳定。通常情况下，DRAM会使用一个内部的计时器来控制刷新周期，以保证在规定的时间内完成所有行的刷新操作。 需要注意的是，刷新操作会对DRAM的性能产生一定的影响，因为在刷新期间，DRAM无法进行读取或写入操作。因此，在设计系统时需要充分考虑刷新操作对性能的影响，并合理安排刷新周期。 总结来说，动态RAM需要进行刷新操作是为了保持存储单元中数据的可靠性，防止数据丢失。通过定期刷新操作，重新充电电容，确保存储单元中的数据稳定。刷新操作是以行为单位进行的，需要合理安排刷新周期以平衡性能和数据可靠性。